حکاکی لایه نازک SiO₂

حکاکی لایه نازک Si₃N₄

حکاکی قربانی ( sacrificial )

انواع سنسورها به طور عمودی

Piezoresistor ها

سنسورهای پیزو الکتریک

سنسورهای خازنی

سنسورهای نوری

سنسورهای تشدیدی

میکرو سنسورها

حکاکی لایه نازک SiO

حکاکی لایه نازک Si

ساختار پایه ( Basic structures )

در میکرو ماشینینگ توده ای سیلیکون

2 در میکروماشینینگ سطحی

Excimer Laser Micro Machining

سنسورها

1 سنسور فشار

سنسور فشار مبتنی بر مقاومت پیزو

2 سنسور فشار خازنی

3 سنسور فشار تشدیدی

2 شتاب سنج ها

و.......

معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود.

حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.

حکاکی Anisotropic در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C₂ F₆و CH₃F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si₃N₄ خوب نیست .

حکاکی لایه نازک Si₃N₄

حکاکی کننده تر در دمای H₃PO_4,140 – 200OC می باشد. SiO₂حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si خیلی خوب است. حکاکی Anisotropic برای Si₃N₄ با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون ( Ion assisted Plasma etching ) در ترکیبی از C₂F₆و CH₃F انجام می شود.

حکاکی قربانی ( sacrificial )

قابلیت انتخاب حکاکی sacrifical روی Si باید خیلی بالا باشد. مواد متداول مورد استفاده PSG و Photorestis,Polyimide ها می باشند. PSG با استفاده از Resist برداشته می شود.

Polyimide ها با استفاده از حکاکی پلاسما برداشته می شوند.

2 – 14 – ساختار پایه ( Basic structures )

2 – 14 – 1 – در میکرو ماشینینگ توده ای سیلیکون

یکی از ممکن ترین و بارزترین ساختارها الگودهی هادی های عایق شده الکتریکی است. یکی از کاربردهای آن می تواند استفاده از میدان های الکتریکی برای ساختن سلول های انفرادی باشد.

حکاکی Anisotropic به وسیله KOH به آسانی می تواند کانال های V ( grooves ) شکل را ایجاد کند، یا گودال های ( Pits ) با دیواره های مخروطی شکل را داخل سیلیکون برش دهد.

KOH همچنین می توند برای ایجاد ساختارهای تپه ای شکل با شیب تند استفاده شود ( شکل a ). وقتی که تپه ها حکاکی شده و پی ریزی می شوند، گوشه ها می توانند به شکل اریب در بیایند. ( شکل b ). ماسک طراحی برای در برگرفتن ساختارهای اضافی در گوشه ها طراحی می شود. این ساختارهای جبران ساز آن چنان طراحی

و........